기술 :
MOSFET N-CH 30V 4A CPH3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2A, 4.5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
430pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3