해당 지역이 목록에 없으면 다음 중 하나를 선택하십시오.:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

해당 지역이 목록에 없으면 다음 중 하나를 선택하십시오.:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. 집
  2. 제품
  3. 집적 회로 (IC)
  4. 기억
  5. W947D6HBHX6E TR

Winbond Electronics - W947D6HBHX6E TR

KEY Part #: K942564

W947D6HBHX6E TR 가격 (USD) [49022PC 주식]

  • 1 pcs$1.01170
  • 2,500 pcs$1.00666
부품 번호:
W947D6HBHX6E TR
제조사:
Winbond Electronics
상세 설명:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 166MHz, 65nm T&R
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. PMIC - V / F 및 F / V 컨버터, 인터페이스 - 아날로그 스위치 - 특수용, 인터페이스 - 신호 터미네이터, PMIC - 전압 조정기 - 선형, 인터페이스 - I / O 확장기, 인터페이스 - 컨트롤러, PMIC - 전압 조정기 - DC DC 스위칭 조정기 and 논리 - 범용 버스 기능 ...
경쟁 우위:
We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX6E TR electronic components. W947D6HBHX6E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX6E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX6E TR 제품 속성

부품 번호 : W947D6HBHX6E TR
제조사 : Winbond Electronics
기술 : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Volatile
메모리 형식 : DRAM
과학 기술 : SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기 : 128Mb (8M x 16)
클럭 주파수 : 166MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 15ns
액세스 시간 : 5ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -25°C ~ 85°C (TC)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 60-TFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 60-VFBGA (8x9)

최근 소식

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP032A-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • 25LC512-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT

  • 602-10001

    Parallax Inc.

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.

  • W25Q128FWSIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

뜨거운 부품