Vishay Semiconductor Diodes Division - BZD27C9V1P-M-08

KEY Part #: K6484778

BZD27C9V1P-M-08 가격 (USD) [954299PC 주식]

  • 1 pcs$0.03876
  • 30,000 pcs$0.03682

부품 번호:
BZD27C9V1P-M-08
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - JFET and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD27C9V1P-M-08 제품 속성

부품 번호 : BZD27C9V1P-M-08
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M
시리즈 : Automotive, AEC-Q101, BZD27C
부품 상태 : Active
전압 - 제너 (Nom) (Vz) : 9.1V
공차 : -
전력 - 최대 : 800mW
임피던스 (최대) (Zzt) : 4 Ohms
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 10µA @ 5V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 200mA
작동 온도 : -65°C ~ 175°C
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : DO-219AB
공급 업체 장치 패키지 : DO-219AB (SMF)

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