FS45MR12W1M1B11BOMA1 가격 (USD) [665PC 주식]
- 1 pcs$69.78699
- 부품 번호:
- FS45MR12W1M1B11BOMA1
- 상세 설명:
- MOSFET MODULE 1200V 50A.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 전원 드라이버 모듈 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies FS45MR12W1M1B11BOMA1 electronic components. FS45MR12W1M1B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS45MR12W1M1B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FS45MR12W1M1B11BOMA1 제품 속성
부품 번호 :
FS45MR12W1M1B11BOMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET MODULE 1200V 50A
시리즈 :
CoolSiC™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
25A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (최대) @ ID :
5.55V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
62nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1840pF @ 800V
전력 - 최대 :
20mW (Tc)
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
Module
공급 업체 장치 패키지 :
AG-EASY1BM-2
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