Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI6

KEY Part #: K937444

TH58BYG2S3HBAI6 가격 (USD) [16879PC 주식]

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  • 10 pcs$2.04661
  • 25 pcs$2.00236
  • 50 pcs$1.99126

부품 번호:
TH58BYG2S3HBAI6
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 클록 / 타이밍 - 클록 버퍼, 드라이버, PMIC - 전류 레귤레이션 / 관리, 선형 - 증폭기 - 오디오, 특수 IC, 선형 - 증폭기 - 계측, OP 앰프, 버퍼 앰프, 논리 - 게이트 및 인버터, PMIC - PoE (Power over Ethernet) 컨트롤러 and PMIC - 배터리 관리 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI6 제품 속성

부품 번호 : TH58BYG2S3HBAI6
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
시리즈 : Benand™
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 4Gb (512M x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : 25ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 67-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 67-VFBGA (6.5x8)

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