APTM100A13SG 가격 (USD) [512PC 주식]
- 1 pcs$97.00869
- 10 pcs$92.32358
- 25 pcs$88.97832
- 부품 번호:
- APTM100A13SG
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 특수용 and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM100A13SG electronic components. APTM100A13SG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100A13SG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM100A13SG 제품 속성
부품 번호 :
APTM100A13SG
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1000V (1kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
65A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 6mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
562nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
15200pF @ 25V
전력 - 최대 :
1250W
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
SP6
공급 업체 장치 패키지 :
SP6
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- VKM60-01P1
- GMM3X160-0055X2-SMD
- UPA2380T1P-SSA-A
- CTLDM303N-M832DS BK
- SIA907EDJ-T1-GE3
- SI5944DU-T1-GE3
- SI4214DY-T1-GE3
- SI6562DQ-T1-GE3
- 2N7002BKS/ZLX
- IRF7103Q
- AO4854L_102
- UPA2670T1R-E2-AX
- SI9936BDY-T1-E3
- MP6M12TCR
- SI6967DQ-T1-E3
- SI5915BDC-T1-E3
- SI7911DN-T1-GE3
- SI6924AEDQ-T1-GE3
- SI4913DY-T1-GE3
- FDS4895C
- DMC3035LSD-13
- IRFI4024H-117P
- APTM50AM25FTG
- APTM100DUM90G
- SI6924AEDQ-T1-E3
- SI1970DH-T1-E3
- NDS9925A
- NTQD4154ZR2
- IRF7750TR
- TPIC1502DW
- IRF9953TR
- IRF9956
- PMGD400UN,115
- SI7994DP-T1-GE3
- SQJQ910EL-T1_GE3
- SI7946ADP-T1-GE3
- IRF7910TRPBF
- BSC0923NDIATMA1
- BSC0924NDIATMA1
- IPG20N04S412ATMA1