RHRD660S9A 가격 (USD) [187337PC 주식]
- 1 pcs$0.19842
- 2,500 pcs$0.19744
- 5,000 pcs$0.18804
- 부품 번호:
- RHRD660S9A
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - RF and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor RHRD660S9A electronic components. RHRD660S9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RHRD660S9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RHRD660S9A 제품 속성
부품 번호 :
RHRD660S9A
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
600V
전류 - 평균 정류 (Io) :
6A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
2.1V @ 6A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
35ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
100µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F :
-
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지 :
TO-252AA
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 175°C
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