기술 :
IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5
게이트 유형 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
0.8V, 3.5V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
30A, 30A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
-
상승 / 하강 시간 (일반) :
18ns, 16ns
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
공급 업체 장치 패키지 :
TO-263 (D²Pak)