기술 :
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
부품 상태 :
Not For New Designs
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
45V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
550pF @ 10V
전력 발산 (최대) :
850mW (Ta), 15W (Tc)
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63