Diodes Incorporated - DMTH10H010SCT

KEY Part #: K6393889

DMTH10H010SCT 가격 (USD) [68703PC 주식]

  • 1 pcs$0.56912

부품 번호:
DMTH10H010SCT
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 사이리스터 - 트라이 액, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H010SCT 제품 속성

부품 번호 : DMTH10H010SCT
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 56.4nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4468pF @ 50V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2.5W (Ta), 187W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-220AB
패키지 / 케이스 : TO-220-3

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