FDMS3660S 가격 (USD) [179509PC 주식]
- 1 pcs$0.20605
- 3,000 pcs$0.20099
- 부품 번호:
- FDMS3660S
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR - 모듈, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 트랜지스터 - 특수용 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor FDMS3660S electronic components. FDMS3660S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS3660S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMS3660S 제품 속성
부품 번호 :
FDMS3660S
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
시리즈 :
PowerTrench®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
13A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.7V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1765pF @ 15V
전력 - 최대 :
1W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지 :
Power56
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