Taiwan Semiconductor Corporation - HS3J M6G

KEY Part #: K6458224

HS3J M6G 가격 (USD) [973167PC 주식]

  • 1 pcs$0.03801

부품 번호:
HS3J M6G
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
상세 설명:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3J M6G 제품 속성

부품 번호 : HS3J M6G
제조사 : Taiwan Semiconductor Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 600V
전류 - 평균 정류 (Io) : 3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.7V @ 3A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 75ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : DO-214AB, SMC
공급 업체 장치 패키지 : DO-214AB (SMC)
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 150°C

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