제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
DIODE GEN PURP 800V 6A P600
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
800V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
900mV @ 6A
속도 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F :
150pF @ 4V, 1MHz
작동 온도 - 정션 :
-50°C ~ 150°C