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Toshiba Memory America, Inc. - TH58NVG2S3HBAI4

KEY Part #: K937269

TH58NVG2S3HBAI4 가격 (USD) [16322PC 주식]

  • 1 pcs$2.80726
부품 번호:
TH58NVG2S3HBAI4
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 인터페이스 - 모뎀 - IC 및 모듈, 인터페이스 - 시리얼 라이저, 디시리얼라이저, 임베디드 - CPLD (복잡한 프로그램 가능 논리 소자), PMIC - 전압 조정기 - 특수용, 클럭 / 타이밍 - 애플리케이션 별, 임베디드 - 마이크로 컨트롤러 - 애플리케이션 별, 클록 / 타이밍 - 클록 발생기, PLL, 주파수 합성기 and PMIC - 전원 컨트롤러, 모니터 ...
경쟁 우위:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG2S3HBAI4 electronic components. TH58NVG2S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NVG2S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NVG2S3HBAI4 제품 속성

부품 번호 : TH58NVG2S3HBAI4
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 4Gb (512M x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : -
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 63-BGA
공급 업체 장치 패키지 : 63-BGA (9x11)

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