E3M0065090D 가격 (USD) [7741PC 주식]
- 1 pcs$5.32366
- 부품 번호:
- E3M0065090D
- 제조사:
- Cree/Wolfspeed
- 상세 설명:
- E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기 and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Cree/Wolfspeed E3M0065090D electronic components. E3M0065090D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for E3M0065090D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
E3M0065090D 제품 속성
부품 번호 :
E3M0065090D
제조사 :
Cree/Wolfspeed
기술 :
E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101, E
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
30.4nC @ 15V
Vgs (최대) :
+18V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
660pF @ 600V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
125W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-247-3
패키지 / 케이스 :
TO-247-3
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