Diodes Incorporated - DMN33D8LT-13

KEY Part #: K6416431

DMN33D8LT-13 가격 (USD) [1737669PC 주식]

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  • 10,000 pcs$0.01923

부품 번호:
DMN33D8LT-13
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET N-CH 30V 0.115A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN33D8LT-13 제품 속성

부품 번호 : DMN33D8LT-13
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET N-CH 30V 0.115A
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 115mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.5V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 0.55nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 48pF @ 5V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 240mW (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-523
패키지 / 케이스 : SOT-523

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