Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K35MFV,L3F

KEY Part #: K6401066

[3179PC 주식]


    부품 번호:
    SSM3K35MFV,L3F
    제조사:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    상세 설명:
    X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3K35MFV,L3F 제품 속성

    부품 번호 : SSM3K35MFV,L3F
    제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
    기술 : X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST
    시리즈 : -
    부품 상태 : Active
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 180mA (Ta)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.2V, 4V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 1mA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
    Vgs (최대) : ±10V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 9.5pF @ 3V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 150mW (Ta)
    작동 온도 : 150°C
    실장 형 : Surface Mount
    공급 업체 장치 패키지 : VESM
    패키지 / 케이스 : SOT-723

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