JAN1N5615US 가격 (USD) [6983PC 주식]
- 1 pcs$5.90097
- 10 pcs$5.31176
- 25 pcs$4.83977
- 100 pcs$4.36756
- 250 pcs$4.01342
- 500 pcs$3.65929
- 부품 번호:
- JAN1N5615US
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A. Rectifiers Rectifier
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5615US electronic components. JAN1N5615US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5615US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N5615US 제품 속성
부품 번호 :
JAN1N5615US
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
시리즈 :
Military, MIL-PRF-19500/429
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
200V
전류 - 평균 정류 (Io) :
1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
800mV @ 3A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
150ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
500µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F :
-
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SQ-MELF, A
공급 업체 장치 패키지 :
D-5A
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 200°C
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