Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB15XP120KTPBF

KEY Part #: K6532523

VS-GB15XP120KTPBF 가격 (USD) [1914PC 주식]

  • 1 pcs$22.62519
  • 105 pcs$21.54782

부품 번호:
VS-GB15XP120KTPBF
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
IGBT 1200V 30A 187W MTP.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일 and 다이오드 - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB15XP120KTPBF 제품 속성

부품 번호 : VS-GB15XP120KTPBF
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : IGBT 1200V 30A 187W MTP
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : NPT
구성 : Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 30A
전력 - 최대 : 187W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 3.66V @ 15V, 30A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 1.95nF @ 30V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : Yes
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : 12-MTP Module
공급 업체 장치 패키지 : MTP

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