1N4150W-HE3-08 가격 (USD) [2033073PC 주식]
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- 15,000 pcs$0.01412
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- 75,000 pcs$0.01246
- 150,000 pcs$0.01107
- 부품 번호:
- 1N4150W-HE3-08
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - JFET and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-08 electronic components. 1N4150W-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150W-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4150W-HE3-08 제품 속성
부품 번호 :
1N4150W-HE3-08
제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
50V
전류 - 평균 정류 (Io) :
200mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1V @ 200mA
속도 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 회복 시간 (trr) :
4ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
100nA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOD-123
공급 업체 장치 패키지 :
SOD-123
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 150°C
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