Infineon Technologies - F3L75R07W2E3B11BOMA1

KEY Part #: K6534623

F3L75R07W2E3B11BOMA1 가격 (USD) [1918PC 주식]

  • 1 pcs$22.57692

부품 번호:
F3L75R07W2E3B11BOMA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
IGBT MODULE VCES 600V 75A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L75R07W2E3B11BOMA1 제품 속성

부품 번호 : F3L75R07W2E3B11BOMA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : IGBT MODULE VCES 600V 75A
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : Trench Field Stop
구성 : Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 95A
전력 - 최대 : 250W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 75A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 4.6nF @ 25V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : Yes
작동 온도 : -40°C ~ 150°C
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : Module

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