Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4755A-TAP

KEY Part #: K6492841

1N4755A-TAP 가격 (USD) [2040170PC 주식]

  • 1 pcs$0.01813
  • 25,000 pcs$0.01519

부품 번호:
1N4755A-TAP
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE ZENER 43V 1.3W DO41. Zener Diodes 43 Volt 1.3 Watt
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4755A-TAP 제품 속성

부품 번호 : 1N4755A-TAP
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE ZENER 43V 1.3W DO41
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
전압 - 제너 (Nom) (Vz) : 43V
공차 : ±5%
전력 - 최대 : 1.3W
임피던스 (최대) (Zzt) : 70 Ohms
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 32.7V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 200mA
작동 온도 : 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : DO-204AL, DO-41, Axial
공급 업체 장치 패키지 : DO-41

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