BSM75GD120DN2BOSA1 가격 (USD) [501PC 주식]
- 1 pcs$92.62090
- 부품 번호:
- BSM75GD120DN2BOSA1
- 상세 설명:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
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BSM75GD120DN2BOSA1 제품 속성
부품 번호 :
BSM75GD120DN2BOSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
시리즈 :
-
부품 상태 :
Not For New Designs
IGBT 유형 :
-
구성 :
Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
103A
전력 - 최대 :
520W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 75A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
1.5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
5.1nF @ 25V
입력 :
Standard
NTC 서미스터 :
No
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
Module
공급 업체 장치 패키지 :
Module
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