기술 :
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
40.9 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
350pF @ 30V
전력 - 최대 :
2W (Ta), 2.8W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)