기술 :
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
900mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2800pF @ 10V
전력 발산 (최대) :
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
4-WLCSP (1.6x1.6)
패키지 / 케이스 :
4-UFBGA, WLCSP