Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08TB60-N3

KEY Part #: K6442700

VS-HFA08TB60-N3 가격 (USD) [7403PC 주식]

  • 1,000 pcs$0.53732

부품 번호:
VS-HFA08TB60-N3
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 트랜지스터 - 특수용 ...
경쟁 우위:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB60-N3 electronic components. VS-HFA08TB60-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08TB60-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08TB60-N3 제품 속성

부품 번호 : VS-HFA08TB60-N3
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
시리즈 : HEXFRED®
부품 상태 : Obsolete
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 600V
전류 - 평균 정류 (Io) : 8A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.7V @ 8A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 55ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-220-2
공급 업체 장치 패키지 : TO-220AC
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 150°C

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • GP2D010A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.

  • GP2D006A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.

  • GP2D005A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

  • GDP03S060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.

  • LXA08B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr

  • VS-MBRD320PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.