제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
300V
전류 - 평균 정류 (Io) :
3A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.3V @ 3A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
10µA @ 300V
공급 업체 장치 패키지 :
L-FLAT™ (4x5.5)
작동 온도 - 정션 :
-40°C ~ 150°C