STMicroelectronics - STH360N4F6-2

KEY Part #: K6404242

STH360N4F6-2 가격 (USD) [2080PC 주식]

  • 1 pcs$3.78561
  • 10 pcs$3.40529
  • 100 pcs$2.79981
  • 500 pcs$2.34580

부품 번호:
STH360N4F6-2
제조사:
STMicroelectronics
상세 설명:
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 다이오드 - 정류기 - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STH360N4F6-2 제품 속성

부품 번호 : STH360N4F6-2
제조사 : STMicroelectronics
기술 : MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
시리즈 : DeepGATE™, STripFET™ VI
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 1.25 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 340nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 17930pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 300W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : H2Pak-2
패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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