Vishay Semiconductor Diodes Division - GSIB6A60L-802E3/45

KEY Part #: K6540991

[12524PC 주식]


    부품 번호:
    GSIB6A60L-802E3/45
    제조사:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    상세 설명:
    BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GSIB6A60L-802E3/45 제품 속성

    부품 번호 : GSIB6A60L-802E3/45
    제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
    기술 : BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    다이오드 유형 : Single Phase
    과학 기술 : Standard
    전압 - 피크 역방향 (최대) : 600V
    전류 - 평균 정류 (Io) : 2.8A
    전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1V @ 3A
    전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 10µA @ 600V
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Through Hole
    패키지 / 케이스 : 4-SIP, GSIB-5S
    공급 업체 장치 패키지 : GSIB-5S

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