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ON Semiconductor - FCPF1300N80ZYD

KEY Part #: K6418944

FCPF1300N80ZYD 가격 (USD) [84025PC 주식]

  • 1 pcs$0.51120
  • 800 pcs$0.50866
부품 번호:
FCPF1300N80ZYD
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 전원 드라이버 모듈 ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor FCPF1300N80ZYD electronic components. FCPF1300N80ZYD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF1300N80ZYD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF1300N80ZYD 제품 속성

부품 번호 : FCPF1300N80ZYD
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
시리즈 : SuperFET® II
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 800V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4.5V @ 400µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 880pF @ 100V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 24W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-220F-3 (Y-Forming)
패키지 / 케이스 : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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