제조사 :
Renesas Electronics America Inc.
기술 :
IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN
게이트 유형 :
N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
3.7V, 7.93V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
2A, 2A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
114V
상승 / 하강 시간 (일반) :
10ns, 10ns
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
9-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
9-TDFN (4x4)