기술 :
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
14.5A (Ta), 124A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
40nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4490pF @ 12V
전력 발산 (최대) :
1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-251-3 Stub Leads, IPak