기술 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
1200V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
3.3V @ 8A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
100µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F :
30pF @ 10V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 150°C