기술 :
PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
300A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
98nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
6.16nF @ 10V
FET 특징 :
Schottky Diode (Body)
공급 업체 장치 패키지 :
LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스 :
SOT-1023, 4-LFPAK