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ON Semiconductor - FDP038AN06A0

KEY Part #: K6399237

FDP038AN06A0 가격 (USD) [23735PC 주식]

  • 1 pcs$1.73636
  • 10 pcs$1.54906
  • 100 pcs$1.27023
  • 500 pcs$0.97585
  • 1,000 pcs$0.82300
부품 번호:
FDP038AN06A0
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP038AN06A0 제품 속성

부품 번호 : FDP038AN06A0
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
시리즈 : PowerTrench®
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 17A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 124nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 6400pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 310W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-220-3
패키지 / 케이스 : TO-220-3

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