GeneSiC Semiconductor - GC05MPS12-220

KEY Part #: K6432808

GC05MPS12-220 가격 (USD) [13171PC 주식]

  • 1 pcs$3.12897

부품 번호:
GC05MPS12-220
제조사:
GeneSiC Semiconductor
상세 설명:
SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC05MPS12-220 제품 속성

부품 번호 : GC05MPS12-220
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 1200V
전류 - 평균 정류 (Io) : 29A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.8V @ 5A
속도 : No Recovery Time > 500mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 0ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 4µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F : 359pF @ 1V, 1MHz
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-220-2
공급 업체 장치 패키지 : TO-220-2
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 175°C
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