기술 :
IC COMPLEMENT SW FET DRVR 8-DIP
게이트 유형 :
N-Channel, P-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
0.8V, 2V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
500mA, 1A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
-
상승 / 하강 시간 (일반) :
30ns, 25ns
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-DIP (0.300", 7.62mm)