ON Semiconductor - HGTG27N120BN

KEY Part #: K6422874

HGTG27N120BN 가격 (USD) [13671PC 주식]

  • 1 pcs$3.01439
  • 450 pcs$2.04350

부품 번호:
HGTG27N120BN
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
IGBT 1200V 72A 500W TO247.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction ...
경쟁 우위:
We specialize in ON Semiconductor HGTG27N120BN electronic components. HGTG27N120BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTG27N120BN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG27N120BN 제품 속성

부품 번호 : HGTG27N120BN
제조사 : ON Semiconductor
기술 : IGBT 1200V 72A 500W TO247
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
IGBT 유형 : NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 72A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 216A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 27A
전력 - 최대 : 500W
스위칭 에너지 : 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 270nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 24ns/195ns
시험 조건 : 960V, 27A, 3 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-247

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다