기술 :
MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
50V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
7.8 Ohm @ 50mA, 4V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.57nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
6.6pF @ 10V