ON Semiconductor - NJVNJD35N04T4G

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NJVNJD35N04T4G 가격 (USD) [279845PC 주식]

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부품 번호:
NJVNJD35N04T4G
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NJVNJD35N04T4G 제품 속성

부품 번호 : NJVNJD35N04T4G
제조사 : ON Semiconductor
기술 : TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
시리즈 : -
부품 상태 : Active
트랜지스터 유형 : NPN - Darlington
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 4A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 350V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 1.5V @ 20mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 2000 @ 2A, 2V
전력 - 최대 : 45W
빈도 - 전환 : 90MHz
작동 온도 : -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지 : DPAK

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