Microsemi Corporation - APTGT50TL601G

KEY Part #: K6532472

APTGT50TL601G 가격 (USD) [1688PC 주식]

  • 1 pcs$25.66219
  • 10 pcs$24.15137
  • 25 pcs$22.64184
  • 100 pcs$21.58529

부품 번호:
APTGT50TL601G
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 특수용 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50TL601G 제품 속성

부품 번호 : APTGT50TL601G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : Trench Field Stop
구성 : Three Level Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 80A
전력 - 최대 : 176W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : No
작동 온도 : -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : SP1
공급 업체 장치 패키지 : SP1

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