제조사 :
Renesas Electronics America
기술 :
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1890pF @ 10V
공급 업체 장치 패키지 :
8-HWSON (3.3x3.3)