[778PC 주식]
- 부품 번호:
- VS-GT400TH120N
- 상세 설명:
- IGBT 1200V 600A 2119W DIAP.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT400TH120N electronic components. VS-GT400TH120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GT400TH120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-GT400TH120N 제품 속성
부품 번호 :
VS-GT400TH120N
제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
IGBT 유형 :
Trench
구성 :
Half Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
600A
전력 - 최대 :
2119W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 400A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
28.8nF @ 25V
입력 :
Standard
NTC 서미스터 :
No
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
공급 업체 장치 패키지 :
Double INT-A-PAK
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