Infineon Technologies - IPC30S2SN08NX2MA1

KEY Part #: K6417636

IPC30S2SN08NX2MA1 가격 (USD) [36956PC 주식]

  • 1 pcs$1.05802
  • 3,000 pcs$0.97067

부품 번호:
IPC30S2SN08NX2MA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MV POWER MOS.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC30S2SN08NX2MA1 제품 속성

부품 번호 : IPC30S2SN08NX2MA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MV POWER MOS
시리즈 : *
부품 상태 : Active
FET 유형 : -
과학 기술 : -
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : -
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
Rds On (최대) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : -
작동 온도 : -
실장 형 : -
공급 업체 장치 패키지 : -
패키지 / 케이스 : -

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