FGH25N120FTDS 가격 (USD) [11882PC 주식]
- 1 pcs$3.46831
- 부품 번호:
- FGH25N120FTDS
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- IGBT 1200V 50A 313W TO247.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - 트라이 액, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - IGBT - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor FGH25N120FTDS electronic components. FGH25N120FTDS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGH25N120FTDS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGH25N120FTDS 제품 속성
부품 번호 :
FGH25N120FTDS
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
IGBT 1200V 50A 313W TO247
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
50A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
75A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 25A
전력 - 최대 :
313W
스위칭 에너지 :
1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
169nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
26ns/151ns
시험 조건 :
600V, 25A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
535ns
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 :
TO-247
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