Rohm Semiconductor - BS2100F-E2

KEY Part #: K1225708

BS2100F-E2 가격 (USD) [208632PC 주식]

  • 1 pcs$0.19810
  • 2,500 pcs$0.19712

부품 번호:
BS2100F-E2
제조사:
Rohm Semiconductor
상세 설명:
IC DVR IGBT/MOSFET. Gate Drivers 600V Hi voltage High Low-side Gate Driver
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 선형 - 증폭기 - 계측, OP 앰프, 버퍼 앰프, 인터페이스 - 시리얼 라이저, 디시리얼라이저, 인터페이스 - 음성 녹음 및 재생, PMIC - 열 관리, 선형 비교기, 기억, 인터페이스 - 센서 및 감지기 인터페이스 and 로직 - 멀티 바이브레이터 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BS2100F-E2 제품 속성

부품 번호 : BS2100F-E2
제조사 : Rohm Semiconductor
기술 : IC DVR IGBT/MOSFET
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
구동 구성 : Half-Bridge
채널 유형 : Independent
드라이버 수 : 2
게이트 유형 : N-Channel MOSFET
전압 - 공급 : 10V ~ 18V
논리 전압 - VIL, VIH : 1V, 2.6V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) : 60mA, 130mA
입력 유형 : Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) : 600V
상승 / 하강 시간 (일반) : 200ns, 100ns
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급 업체 장치 패키지 : 8-SOP

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