기술 :
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
95pF @ 15V
FET 특징 :
Schottky Diode (Isolated)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
6-UDFN (1.6x1.6)
패키지 / 케이스 :
6-UFDFN Exposed Pad