과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
112 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
650pF @ 20V
전력 발산 (최대) :
1W (Ta), 15W (Tc)
패키지 / 케이스 :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA