제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
400mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
12V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
250mV @ 10mA, 200mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
300 @ 10mA, 2V
패키지 / 케이스 :
SC-101, SOT-883