제조사 :
Taiwan Semiconductor Corporation
기술 :
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
600V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.7V @ 2A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
DO-214AA, SMB
공급 업체 장치 패키지 :
DO-214AA (SMB)
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 150°C